웨이퍼테크는
단순실험용 기판부터 고사양의 화합물 웨이퍼 등 반도체 재료를 공급하는 업체입니다
Silicon Wafer
실리콘 웨이퍼는 지구상에서 쉽게 구할 수 있는 재료인 실리콘(Si) 99.99..% 순도의 단결정으로 성장하여 얻어지는 웨이퍼로서 집적회로, 센서, MEMS/BIO 공정, 광전자 부품, 태양 전지 등 광범위하고 가장 일반적으로 사용되는 반도체 재료 입니다.
| Growing Method | CZ, FZ, MCZ |
| Grade | Prime, Test, Dummy |
| Type / Dopant | P(Boron), N (Phosphorous, Antimony, Arsenic) |
| Diameter | 2 ~ 12 inch |
| Thickness | 280~775um, other thickness adjustable |
| Orientation | (100),(111),(110) |
| Resistivity(ohm cm) | 0.001 ~ 100,000 |
| Surface | One Side Polished, Double Side Polished, Lapped, Etched, Sliced |
| Backside | Etched, BSD, LTO, As-Cut, Polished, Lapped, Sliced |
Compound Wafer (III-V)
반도체 분야에서 주로 이용되는 실리콘 웨이퍼와 다르게 화합물 웨이퍼(Compound Wafer)는 발광소자(전류를 흘리면 빛이 나는 소자)를 만들 수 있으며, 레이저도 만들 수 있습니다. 또 전자 이동도가 커서, 화합물 반도체로 만든 트랜지스터는 실리콘으로 만든 것보다도 몇 배나 신속히 동작합니다. 이처럼 화합물 반도체는 뛰어난 특성을 갖고 있어 여러 분야에 활용이 가능합니다. 태양전지, 마이크로파 소자, 홀 소자, 고속 IC, 센서 등 매우 다양합니다. 단점은 제조가 어렵고 고가의 원재료라는 점입니다. 점차 가격 경쟁력을 갖추며, 여러 다양한 분야에 적용이 확대되고 있습니다.
| Growing Method | LEC, VGF, CZ |
| Grade | Prime, Test, Dummy |
| Type / Dopant | P (Undoped, Zinc, Germanium), N (Undoped, Silicon, Sulphur, Iron, Tellurium) |
| Diameter | 2~8 inch |
| Thickness(um) | 350 ~ 1,000 ± 25 |
| Orientation | 100, 111, 110 ± 0.1, 0.5 / off 2±0.5 ~ 10 ± 0.5 |
| Resistivity(ohm cm) | 0.001 ~ 50 Ohm Cm |
| EPD (CM -2) | ≤50 , ≤ 100,000 |
| Flat option | EJ, US, Notch |
| Surface | Front Side: Polished / Back Side: Cut, etched, Polished / Epi-ready |
| Packaging | Cassette or Individual |
Silicon Carbide Wafer
실리콘 카바이드는 차세대 반도체 재료로 고유의 전기적 특성, 우수한 밴드갭, 월등한 열전도성 등으로 고출력 파워 디바이스의 재료로 각광받고 있습니다. 최근 SiC 제조 업체들의 합병, 폐업, 종래 실리콘 디바이스 제조 기업들의 수직계열화 등으로 시장 재편성이 이루어 지고 있으며, 대기업 등이 차세대 비 메모리 분야의 핵심 소재로 선정하여 디바이스를 개발, 시장에 출시하고 있습니다. 최근 GaN Epi 분야와 함께 가장 고속 성장하는 재료이기도 합니다.
| Growing Method | Sublimation, PVT, HT-CVD, LPE |
| Grade | Depend on MPD level |
| Type / Dopant | 6H, 4H, N (Nitrogen), Semi Insulating |
| Diameter | 2~6 inch |
| Thickness(um) | 250 ~ 550um ± 25 |
| Orientation | (0001) / OFF 0, 3.5, 4, 8 off axis |
| Resistivity(ohm cm) | 0.012 ~ 0.1 , > 1E5 |
| EPD (CM -2) | ≤ 1~ 100 |
| Flat option | Surface Silicon faced polished, CMP epi-ready / C-face polished, Optical |
| Surface | Single Wafer container or Cassette |
| Packaging | Cassette or Individual |
ZnO Wafer
우수한 Lattice Match와 이상적인 구조를 갖는 ZnO 단결정 Wafer는 넓은 밴드갭을 갖고 있으며 상온에서 결합에너지가 우수한 장점을 갖고 있습니다. Mg나 Cd를 도핑하여 밴드갭을 조절할 수 있어 파워 디바이스, UV/Blue LED, LD, UV Photodetector 등에 이용되고 있습니다. 아울러 GaN on Sapphire 나 SiC 보다 Lattice Mismatch가 우수하여 Nitride를 기본으로 하는 성장 재료로 적용되고 있습니다. 는 재료이기도 합니다.
| Growing Method | Melt Growth Process, Hydrothermal, CVD |
| Grade / Shape | Production / Hexagona |
| Type / Dopant | N(undoped) |
| Diameter | 10mm, 15mm |
| Thickness(um) | 500um ± 25 |
| Orientation | (0001) ±0.5° |
| Surface | One side (Zn-face) or double side polished |
| Packaging | Single Wafer container |
AlN Wafer
우수한 내열성, 내식성, 안전성, 광 투과성, 높은 열전도성 등을 특징으로 하는 AlN 기판은 제조 기술 자체가 어렵고 성장제어의 한계로 성장 기술을 가진 몇몇 업체들만이 시장을 이끌어 가고 있습니다.SiC 대비 10배의 성능 향상을 가져올 수 있어 높은 전력 변환 효율을 필요로 하는 스마트 그리드파워, 레일트랙션, 풍력 터빈, 고 전력 파워 시스템 등에 적용될 수 있습니다.특히 살균, 정화, 소독, DNA, 분석 도구 등 UVC –LED (250 ~ 280nm) 분야의 적용 재료로서 차세대 자외선 분야에 무궁무진하게 적용될 가능성을 열어 두고 있습니다.
| Growing Method | Sublimation, HVPE, PVT |
| Grade / Shape | Round or Hexagonal |
| Diameter | 10~25.4mm. 2~3 inch planned |
| Thickness(um) | 550um ± 50 |
| Orientation | C plane {0001}±1.0°, M-plane {10-10}±1.0° |
| Surface | Al Face: CMP epi-ready / N face: Optical |
| Packaging | Single Wafer container |
GaN Template, Free Standing
질화 갈륨(GaN)은 차세대 반도체 재료의 핵심 소재로서, LED, LD, 고출력 전자소자 특히 고효율 LED의 핵심 소재로 각광받고 있다. 기본적으로 청색 발광(450nm)을 합니다. 발광효율이 사파이어 대비 4배로 고효율 LED에 없어서는 안 될 소재입니다. 양산 수준의 직경과 단가로 맞추어진다면 반도체 재료의 핵심소재로 자리잡을 것입니다.
| Growing Method | HVPE, MOCVD,Sublimation, PVT, Ammonothermal |
| Grade / Shape | Template, Free Standing |
| Type / Dopant | C-plane, Non-polar, N (Silicon Doped), SI (Fe-doped) |
| Diameter | 5mm, 10mm, 2 ~ 4 inch |
| Thickness(um) | 20~90um / 230~260um /300 ~ 475um |
| Orientation (degree) | (0001) ± 0.1 |
| TDDs (CM -2) | Template ≤ 10, Free-Standing ≤ 1E7, 1E5 |
| Surface | Ga – faced polished, / N-face polished |
| Packaging | Single Wafer container or Cassette |
Epitaxial Wafer
전자/광소자 제작을 위해 고객 맞춤의 다양한 Epi wafer를 공급해 드립니다. Epi Wafer는 MBE, MOCVD에서 성장하여 단일 혹 여러 층의 Layer 구조를 구성합니다. 2인치~ InP, GaAs, GaN, Sb계열, Silicon, Silicon Carbide 를 Substrate로 하여 맞춤 공급해 드립니다.
| Electronics | Optoelectronics |
| HBT, pHEMTs, BiFETs, GaN HEMTs, InGaP HBTs, InP, HBTs, SbHBTs, MESFET | Photodector, LD, LED, VcSEL, APD, Pin PD, LT-GaAs, AlGaAs, AlGaAs/InGaAs, InGaP, GaAsP, AlAs, InAs, GaAs |
| Wireless: WiFi, WiMAx, WiBro, Satellite ,Handset/Base station, Wireless connectivity, LAN/data networks, , Navigation Optoelectronics: Voice/Data Communications, CD/DVD, Consumer, Office Products, Lighting, Solid State lighting, | CPV, Advanced Lasers, Solar Cells Electronics: Computing, Consumer, Office/Industrial Products, MEMS, Advanced Memory (STO) Emerging: CPV, High Power, Optical Fiber Communications |
